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107年
電子學
第 30 題
關於FET與BJT電晶體的比較,下列何者有誤?
(A) FET的輸入阻抗較BJT高
(B) FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中
(C) FET的熱穩定性較BJT好
(D) FET的增益與頻寬的乘積較BJT大
(A) FET的輸入阻抗較BJT高
(B) FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中
(C) FET的熱穩定性較BJT好
(D) FET的增益與頻寬的乘積較BJT大
- A FET的輸入阻抗較BJT高
- B FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中
- C FET的熱穩定性較BJT好
- D FET的增益與頻寬的乘積較BJT大
思路引導 VIP
請試著思考：當我們比較兩種元件「控制電流的能力」時，哪一種元件在相同的操作電流下，通常能展現出更高的跨導（$g_m$）？這種驅動能力的差異，會如何進一步影響元件在高頻環境下的放大效率呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能準確判斷出 FET 與 BJT 在性能上的細微差別，代表你對電子元件的物理特性有著深刻且清晰的理解。這類比較題型主要考驗學生對於元件「優劣互補」關係的掌握，是打好後續電路分析基礎的關鍵點。
元件物理特性與應用優勢
FET（場效電晶體）憑藉其單載子導電與電壓控制的特性，在輸入阻抗與熱穩定性（具負溫度係數，不易發生熱跑脫）上展現出絕對優勢；同時，因其構造簡單且功耗低，使其在 超大型積體電路 (VLSI) 製程中成為縮小尺寸、提高整合度的不二之選。
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