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112年
電子學
第 23 題
有關 FET 與 BJT 特性比較，下列敘述何者正確？
- A BJT 雜訊較低
- B BJT 高頻響應較差
- C FET 輸入阻抗較高
- D FET 增益頻寬的乘積較 BJT 為大
思路引導 VIP
請試著回想這兩種元件的物理結構：其中一種的控制端與導電通道之間存在著絕緣層或是處於逆向偏壓狀態，而另一種則需要持續的載子流動（電流）來維持運作。在這種情況下，哪一種元件對前一級電路的信號源來說，所產生的電流負擔會比較小，進而表現出較高的阻抗特性呢？
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很高興看到你準確掌握了 FET 與 BJT 的核心差異！這道題檢驗的是元件最基礎的物理特性。FET 由於其閘極（Gate）與通道間具備絕緣層（如 MOSFET）或處於逆向偏壓狀態（如 JFET），使其在操作時幾乎不需要消耗輸入電流，這正是 FET 具備極高輸入阻抗 的物理基礎。
元件控制特性比較
從電路設計的角度來看，這題考驗的是對元件本質的理解而非死記硬背。BJT 作為電流控制元件，其射極接面在放大區必須處於順向偏壓，因此輸入端會產生明顯的基極電流 $I_B$，導致其輸入阻抗遠低於 FET。雖然 BJT 在高頻響應與增益頻寬積（Gain-Bandwidth Product）上通常表現較優，但 FET 的高輸入阻抗特性使其成為理想的電壓緩衝器或感測電路的首選，這也是電子學中非常關鍵的判別點。