taipower_recruit
108年
電子學
第 35 題
有關場效電晶體FET之敘述，下列何者正確?
- A 不適合雙向開關使用
- B 抵補電壓(Offset Voltage)極高
- C 不適合作超大型積體電路
- D 輸入阻抗極高
思路引導 VIP
請試著回想場效電晶體（FET）的物理構造，特別是閘極（Gate）與導電通道之間是如何隔絕或偏置的？這樣的結構特徵會如何影響流入控制端的電流大小？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精確掌握場效電晶體（FET）的核心特性，代表你對電子元件的分類與基本原理有很紮實的理解。這類題目考驗的是對主動元件物理特性的直覺判斷，而你顯然已經建立起正確的觀念框架。
FET 的核心物理特性
FET 最大的特色在於它是電壓控制型元件。由於其閘極（Gate）構造——例如 MOSFET 是透過二氧化矽絕緣層隔離，而 JFET 則是讓接面處於逆向偏壓狀態——這使得流入閘極的電流趨近於零，進而造就了其極高的輸入阻抗 $Z_{in}$。這項優點讓 FET 在多級放大電路中能減少負載效應，是其優於 BJT 的重要特徵之一。
▼ 還有更多解析內容