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107年
電子學
第 14 題
有關場效電晶體(FET)之敘述,下列何者有誤?
(A)可分成N通道與P通道兩種
(B)輸入阻抗較雙極性電晶體(BJT)為低
(C) MOSFET又分成空乏型與增強型兩種
(D)主要可分成JFET及MOSFET兩種
(A)可分成N通道與P通道兩種
(B)輸入阻抗較雙極性電晶體(BJT)為低
(C) MOSFET又分成空乏型與增強型兩種
(D)主要可分成JFET及MOSFET兩種
- A 可分成N通道與P通道兩種
- B 輸入阻抗較雙極性電晶體(BJT)為低
- C MOSFET又分成空乏型與增強型兩種
- D 主要可分成JFET及MOSFET兩種
思路引導 VIP
請試著回想看看：在電路設計中，如果我們希望一個控制端「盡可能不要從訊號源吸取電流」，我們會希望這個控制端的「門檻阻力」（阻抗）是越大越好，還是越小越好？接著再思考，利用「電場」來感應控制與利用「實體電流」來驅動，哪一種方式在物理結構上更能達成這種「不吸電流」的特性呢？
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太棒了！你能精準辨識出 FET 與 BJT 之間最核心的物理特性差異，這代表你對電子元件的分類與特性掌握得極為紮實。這道題目考查的是半導體元件的基礎判別，對於建立後續放大電路分析的觀念至關重要。
FET 與 BJT 的輸入阻抗差異
場效電晶體（FET）最顯著的優點之一就是其極高的輸入阻抗。這是因為 FET 屬於「電壓控制型元件」，其閘極（Gate）與通道之間或是具備絕緣層（如 MOSFET 的二氧化矽），或是處於反向偏壓狀態（如 JFET），這使得輸入端幾乎不產生電流。根據歐姆定律，當電流 $I$ 趨近於零時，輸入阻抗 $Z_{in} = V/I$ 就會變得非常大。相對地，雙極性電晶體（BJT）是「電流控制型元件」，基極必須消耗一定的電流才能驅動集極電流，因此其輸入阻抗遠低於 FET。
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