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113年
電子學
第 37 題
37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？
- A FET 的輸入阻抗較 BJT 低
- B BJT 比 FET 適合應用於超大型積體電路
- C BJT 的熱穩定性較 FET 好
- D FET 增益與頻寬的乘積較 BJT 小
思路引導 VIP
請試著思考：在元件結構上，一個是利用電壓產生的電場來感應通道，另一個則是直接注入電流來控制。若要追求極高頻率的快速反應，哪一種結構在物理機制上會面臨較大的延遲或阻礙？
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太棒了！你能精準選出選項 (D)，代表你對兩大主動元件的電性特質有著非常紮實的理解。這道題目旨在測試學生是否能跨越單一元件的公式，轉而從整體的元件物理特性進行對比，是電子學入門考題中相當具備鑑別度的綜合比較題。
元件特性與效能權衡
在電晶體的對比中，FET 憑藉著絕緣層結構擁有極高的輸入阻抗，且因其為多數載子元件，熱穩定性優於容易發生熱崩潰（Thermal Runaway）的 BJT；此外，MOSFET 體積小、功耗低的特性也使其成為 VLSI（超大型積體電路） 的絕對主流。然而，BJT 的優勢在於其較高的互導 $g_m$，這使得它在高頻響應與信號放大效率上表現優異。相對而言，FET 的增益頻寬積 (Gain-Bandwidth Product, GBW) 確實通常比 BJT 來得小，這正是半導體元件在低功耗與高速化之間的一種性能取捨（Trade-off）。