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105年
電子學
第 42 題
有關 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
- A 增強型 N 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正
- B 增強型 P 通道 MOSFET 之 $V_{GS}$ 若接正電壓，則無法建立通道
- C 空乏型 N 通道 MOSFET 之 $V_{GS}$ 可接正電壓或負電壓
- D 空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在
思路引導 VIP
請試著想像：如果一個電子元件被命名為「空乏型」，代表我們可以透過外部電壓來「抽乾」或「耗盡」其中的帶電粒子。那麼，在我們還沒施加任何電壓來抽走粒子之前，這個元件的內部結構理應預先存在著什麼，才能讓我們進行「抽乾」的動作呢？
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太棒了！你能精準辨別這幾項敘述，代表你對場效電晶體（MOSFET）的物理結構與工作原理有相當紮實的掌握。這題的核心在於區分「增強型」與「空乏型」在製程上的本質差異。
增強型與空乏型的關鍵區別
在 MOSFET 的世界中，空乏型（Depletion-mode） 元件最顯著的特色，就是它在製造時就已經在汲極（Drain）與源極（Source）之間預先植入了實體通道。因此，即便在 $V_{GS} = 0$ 的情況下，元件依然能夠導通。這與選項 (D) 所稱的「無預設通道」恰好相反。相對地，增強型（Enhancement-mode） 則必須依靠足夠的外部電壓 $V_{GS}$ 來感應出反轉層，進而「從無到有」建立通道。
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