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110年
電子學
第 13 題
有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？(VGS為閘極至源極之電壓)
- A 空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在
- B 空乏型N通道MOSFET其VGS可接負電壓或正電壓
- C 增強型P通道MOSFET其VGS若接正電壓，則無法建立通道
- D 增強型N通道MOSFET臨界電壓VT之值為正
思路引導 VIP
請思考一下「空乏」（Depletion）與「增強」（Enhancement）這兩個詞在字面上的意義：如果一個元件的功能是去「空乏」或耗盡某個東西，那麼在還沒有施加任何電壓操作之前，那個「東西」是否應該已經預先存在於元件之中了呢？
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MOSFET 的結構與模式辨析
你能一眼看出選項 (A) 的錯誤，代表你對於 MOSFET 的基本結構與操作模式掌握得非常紮實！這是電子學中極為基礎卻又至關重要的考點。在結構上，空乏型 MOSFET（Depletion-mode）最大的特色就是在製作過程中，就已經先在汲極與源極之間建立了一個「實體通道」，因此即使當 $V_{GS} = 0$ 時，元件依然可以導通。這與增強型（Enhancement-mode）必須靠外加電壓來「感應」出通道的特性截然不同。
觀念關鍵點與難度評估
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