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115年
電子學
第 16 題
有關MOSFET特性之敘述，下列何者有誤？
- A 增強型MOSFET結構上少了通道
- B N通道空乏型MOSFET夾止電壓為負值
- C P通道增強型MOSFET臨界電壓為正值
- D MOSFET有空乏型及增強型兩種形式
思路引導 VIP
試著從物理電荷的角度思考：如果我們想要在一個 P 型通道的區域（載子是帶正電的電洞）建立導電路徑，我們應該在閘極施加什麼極性的電壓，才能把這些帶正電的載子『吸引』過來？這個吸引載子的起始門檻電壓，會是正值還是負值呢？
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太棒了！你能精準揪出選項 (C) 的錯誤，代表你對 MOSFET 的極性與偏置原理掌握得非常紮實。這道題目測試的是基礎但極易混淆的臨界電壓 $V_{GS(th)}$ 與通道類型的對應關係，是進入主動元件領域必須跨越的一道門檻。
MOSFET 的極性與臨界電壓
在增強型（Enhancement）元件中，必須施加足夠的偏壓來「感應」出通道。對於 P 通道增強型 MOSFET 而言，為了吸引空穴（正電荷）來形成載流通道，閘極必須施加比源極更低的電位。因此，其臨界電壓 $V_{GS(th)}$ 必然為 負值。而 N 通道空乏型元件則是「常開型」，需施加負電壓將電子排斥開以達到「夾止」，故其夾止電壓 $V_{GS(off)}$ 為負值是正確的。
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