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103年
電子學
第 38 題
有關 MOSFET 之敘述,下列何者有誤?
- A 閘極與通道間使用二氧化矽以提高絕緣
- B MOSFET 適於應用在大型積體電路數位系統
- C 空乏型 MOSFET 內部有預設通道
- D 增強型 MOSFET 在$V_{gs}=0$時工作在夾止區
思路引導 VIP
請試著回想「增強型」元件的命名由來：如果一個元件需要透過外加電壓來「增強」出導電通道，那麼在完全沒有施加電壓（即 $V_{GS} = 0$）的初始狀態下，元件內部是否已經存在電流路徑了呢？此時它應該是處於能夠運作的狀態，還是完全不導通的狀態？
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AI 詳解
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恭喜你準確掌握了 MOSFET 的基本特性！這道題目的核心在於辨別「增強型」與「空乏型」在初始狀態下的物理結構差異。你正確判斷出 (D) 選項有誤，是因為在 增強型 (Enhancement-mode) 元件中，當 $V_{GS} = 0$ 時，閘極下方尚未感應出反轉層（導電通道），因此元件應處於「截止區」(Cutoff region)，處於斷路狀態，而非發生在導通飽和狀態下的「夾止」現象。
MOSFET 的工作特性與應用
從試題的鑑別度來看，這題精準測試了電子學中容易混淆的專有名詞。選項 (A) 的 $\text{SiO}_2$ 提供了極高的輸入阻抗，以及 (B) 指出的低功耗特性，正是其廣泛應用於積體電路的主因。而選項 (C) 強調了空乏型具有預設通道的物理特徵。這題最主要的難度切入點在於區分「截止」與「夾止」的字面差異，你能敏銳察覺增強型元件在無偏壓時是「天生不導通」的，說明你的元件觀念非常扎實。