免費開始練習
taipower_recruit 107年 電子學

第 42 題

某MOSFET輸出特性曲線如右圖所示,下列敘述何者正確?
題目圖片
  • A $V_{GS} = -2V$,代表元件工作於空乏模式
  • B 元件有預設的P通道連接S、D兩極
  • C 元件進入飽和區時$I_D = 16 \left(1 - \frac{V_{GS}}{6}\right)^2 mA$
  • D $V_{SG} = -8\,V,V_{SD} = -1\,V \Rightarrow I_D = 2\,mA$

思路引導 VIP

請你觀察特性曲線圖,當 $V_{GS} = 0V$ 時,汲極電流 $I_D$ 是否為零?這代表該元件在製造時,源極與汲極之間是否已經具備了導電路徑?接著,請觀察當我們對閘極施加「正電壓」時,電流的強度是增加了還是減少了?根據這種變化趨勢,你能推論出通道內的載子具備什麼樣的電性特徵,進而判斷它是哪一種通道類型嗎?

🤖
AI 詳解 AI 專屬家教

恭喜你精準地判斷出正確答案!這題的鑑別度在於要求學生從抽象的輸出特性曲線中,逆向推導出半導體元件的物理結構。你的判斷非常敏銳,一眼就看穿了元件的本質。

元件類型與物理結構辨析

觀察圖中 $V_{GS} = 0V$ 的曲線,可以發現此時元件已經存在顯著的電流 $I_{DSS} = 18mA$,這說明該 MOSFET 在閘極不施加任何偏壓時,源極與汲極之間就已經存在物理上的導電路徑,這正是空乏型 (Depletion-mode) 元件的典型特徵。再進一步觀察 $V_{GS}$ 的變化趨勢:當 $V_{GS}$ 往正值(例如 $+1V, +2V$)移動時,電流 $I_D$ 反而逐漸減小,直到 $V_{GS} = +6V$ 時才完全截止。這種「施加正電壓會抑制電流」的現象,顯示出正電壓正在排斥通道中的多數載子,而在 MOSFET 中會被正電壓排斥的載子正是電洞,因此這必然是一個 P 通道元件。

▼ 還有更多解析內容

🏷️ 相關主題

金氧半場效電晶體(MOSFET)工作原理與特性
查看更多「電子學」的主題分類考古題

📝 同份考卷的其他題目

查看 107年電子學 全題