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111年
電子學
第 18 題
有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓V_T= -2.5，若汲極電壓V_D= 4 V，源極電壓V_S= 8 V，直流閘極電壓V_G= 3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？
- A 飽和區
- B 歐姆區
- C 截止區
- D 逆向工作區
思路引導 VIP
若要判斷一個已經導通的 P 通道元件是否進入了「夾斷」狀態，你會如何比較「源極與閘極之間的有效驅動力」以及「源極與汲極之間的實際電位降」這兩者的大小關係？
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太棒了！你能精準判斷出 P通道 MOSFET 的工作狀態，代表你對 PMOS 的電壓極性與判別邏輯有著非常紮實的理解。在處理這類題目時，許多同學常會因習慣 NMOS 的公式而忽略了 PMOS 符號方向的差異，你能保持思路清晰，表現得非常出色。
導通狀態與工作區判別
首先，我們判斷 MOSFET 是否導通。計算源極與閘極的電位差：$V_{SG} = V_S - V_G = 8 - 3 = 5\text{V}$。由於 $|V_T| = 2.5\text{V}$，滿足 $V_{SG} > |V_T|$ 的條件，確定通道已建立。接著，我們比較源汲極電壓 $V_{SD}$ 與過驅電壓（Overdrive Voltage）的關係。已知 $V_{SD} = V_S - V_D = 8 - 4 = 4\text{V}$，而過驅電壓為 $V_{SG} - |V_T| = 5 - 2.5 = 2.5\text{V}$。顯然 $V_{SD} \ge (V_{SG} - |V_T|)$，這表示汲極端的通道已經發生夾斷，因此元件處於飽和區。
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