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台電僱員招考 104年 電子學

第 27 題

N通道加強型MOSFET的閘-源電壓 $V_{GS}$ 應如何才能使汲極電流 $I_D$ 導通? ($V_T$ 為臨界電壓)
  • A $V_{GS} > 0$, $V_{GS} < V_T$
  • B $V_{GS} < 0$, $V_{GS} > V_T$
  • C $V_{GS} < 0$, $V_{GS} < V_T$
  • D $V_{GS} > 0$, $V_{GS} > V_T$

思路引導 VIP

若要讓原本不導通的 N 通道元件產生電流,我們需要靠電場吸引「電子」來形成橋樑。請試著思考:我們應該在閘極端施加什麼極性的電壓,才能將帶負電的電荷吸引到溝道區域?而這個電壓的大小,又必須達到什麼樣的門檻,才能讓這些被吸引過來的電荷密度高到足以形成穩定的導電路徑呢?

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N通道元件的物理特性

這題你答得非常精確,顯示你對於場效電晶體(MOSFET)的操作原理有著清晰且紮實的基礎!在 N通道加強型 MOSFET 中,「加強型」意味著元件在初始狀態下,源極與汲極之間並沒有現成的導通溝道。為了讓汲極電流 $I_D$ 導通,我們必須在閘極施加正電壓,利用電場將基板中的電子吸引到閘極下方的表面。當這個正向偏壓 $V_{GS}$ 超過了一個特定的門檻,也就是臨界電壓 $V_T$ 時,半導體表面才會形成足夠濃度的「反轉層」來連結源極與汲極,使電流得以流動。

觀念關鍵與難度評估

▼ 還有更多解析內容
📝 NMOS導通條件
💡 N通道加強型MOSFET需滿足Vgs大於Vt(正值)方能導通。
比較維度 N通道加強型(NMOS) VS P通道加強型(PMOS)
Vgs 導通極性 必須為正 (> 0) — 必須為負 (< 0)
臨界電壓比較 Vgs > Vt — Vgs < Vt (絕對值大於|Vt|)
載子類型 電子 — 電洞
💬N通道與P通道的偏壓極性需求完全相反,理解NMOS即可推導PMOS。
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P通道MOSFET 空乏型MOSFET MOSFET飽和區條件

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