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109年
電子學
第 5 題
某 P 通道增強型 MOSFET，導電參數 \(K = 0.5 mA/V^2\)，臨界電壓 \(V_T = -2 V\)，試求 \(V_{GS} = -5 V\) 時，\(I_D\) 值為何？
- A 6 mA
- B 4.5 mA
- C 2 mA
- D 0.5 mA
思路引導 VIP
在處理這類增強型 MOSFET 的問題時，我們可以先思考：要讓這個元件從完全沒有電流的「截止狀態」轉為「導通狀態」，閘極與源極之間的電壓必須滿足什麼樣的物理門檻？而在導通之後，電流的大小又是由哪兩個關鍵電壓值之間的「差距」來決定的呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
恭喜你準確掌握了 P 通道增強型 MOSFET 的特性！在電子學中，處理 P 通道元件時常需要特別注意正負號的定義與方向，而你能冷靜地判定條件並正確代入數值，顯示你的基礎觀念非常紮實。
MOSFET 的飽和區電流特性
這題的核心在於確認元件的導通狀態並選用正確公式。對於增強型 MOSFET 而言，當截止電壓與閘源極電壓滿足 $|V_{GS}| > |V_{T}|$ 時，通道才會形成。在此題中，$V_{GS} = -5 \text{ V}$ 且 $V_T = -2 \text{ V}$，這代表閘極電壓已足夠讓元件進入導通狀態。在未特別標註 $V_{DS}$ 的情況下，這類考題通常設定在飽和區運作，因此我們使用飽和電流公式：
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