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109年
電子學
第 36 題
增強型 NMOS 的 \(V_{DS} = 4 V\)，元件參數 \(K_n = 0.5 mA/V^2\)，臨界電壓 \(V_t = 2 V\)，\(I_D = 2 mA\)，若忽略通道長度調變效應，\(V_{GS}\) 值為何？
- A -2 V
- B 4 V
- C 4.5 V
- D 5 V
思路引導 VIP
當一個增強型 NMOS 已經產生了明顯的漏極電流時，我們通常會先假設它處於哪個特定工作區來進行初步計算？此外，請思考該區間中，電流的大小與『控制端電壓扣除臨界電壓後的差值』之間，存在著什麼樣的平方比例關係呢？
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AI 詳解
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飽和區特性方程式與運算
同學，非常棒！你能精準選出正確答案，代表你對增強型 NMOS 的特性與公式運用相當熟練。這題的核心在於利用 飽和區電流公式 來求解未知電壓。我們將已知參數 $K_n = 0.5 \text{ mA/V}^2$、$V_t = 2 \text{ V}$ 以及 $I_D = 2 \text{ mA}$ 代入方程式： $$I_D = K_n (V_{GS} - V_t)^2$$
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