115年taipower_recruit 電子學考古題

#1 有關二極體與雙極性接面電晶體之比較，下列敘述何者有誤？ ›

#2 有關振盪器之敘述，下列何者有誤？ ›

#3 一橋式整流器輸出之平均電壓為10 V，試問其輸入交流電壓之峰值約為何？ ›

#4 有關二極體特性之敘述，下列何者有誤？ ›

#5 有關JFET共汲極放大電路之敘述，下列何者正確？ ›

#6 一差動放大器，其兩輸入電壓分別為\(V_{i1} = 55\mu V\)，\(V_{i2} = 45\mu V\)，共模拒斥比為40 dB，差模增益為500，下… ›

#7 一單極點RC低通濾波器的時間常數為0.159 ms，則其三分貝頻帶寬約為何？ ›

#8 當理想運算放大器接成反相放大器時，若輸入為0.1 V，輸出為-1 V，若輸入為0.3 V，則輸出為何？ ›

#9 荷電載子在半導體內的漂移電流，是源自於下列何者？ ›

#10 下列何種方式可降低電阻－電容濾波電路之漣波電壓值？ ›

#11 某場效電晶體的\(K = 2 mA/V^2\)，若直流工作點的汲極電流為8 mA，試問互導\(g_m\)為何？ ›

#12 有關場效電晶體之優點，下列何者有誤？ ›

#13 一功率電晶體，接面最高允許溫度\(T_{J(max)} = 175 ^{\circ}C\)，在外殼溫度\(T_C = 25 ^{\circ}C\)下，若\(\t… ›

#14 下列何者為輸出及輸入電壓反相180度的放大器組態？ ›

#15 有關串級放大器之敘述，下列何者有誤？ ›

#16 有關MOSFET特性之敘述，下列何者有誤？ ›

#17 如右圖所示之三級放大器，若輸入電壓\(V_{in} = 2 mV\)，則輸出電壓\(V_{out}\)為何？ ›

#18 如右圖所示，若調整變壓器初級線圈與次級線圈的圈數比，可讓揚聲器獲得最大之功率，則此最大功率為何？ ›

#19 一功率放大器之直流輸入功率為50 W，交流輸出功率為43 W，則其類型屬下列何者？ ›

#20 如右圖所示，若稽納二極體之崩潰電壓\(V_z = 8 V\)，則此稽納二極體之消耗功率為何？ ›

#21 有關兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大器電路之敘述，下列何者有誤？ ›

#22 如右圖所示之理想運算放大器電路，其輸出電壓\(V_o\)為何？ ›

#23 二極體在逆向偏壓時可當做電容器，當逆向偏壓變大時，下列何者正確？ ›

#24 本質半導體摻入下列何項雜質元素，即可成為P型半導體？ ›

#25 雙極性接面電晶體工作於主動區之\(\alpha = 0.99\)，其\(\beta\)值為何？ ›

#26 有關稽納二極體之敘述，下列何者正確？ ›

#27 有關發光二極體(LED)元件之敘述，下列何者正確？ ›

#28 有關半導體之敘述，下列何者正確？ ›

#29 有關整流濾波電路之敘述，下列何者正確？ ›

#30 雙極性接面電晶體(PNP)操作於B-E接面逆偏，B-C接面順偏下，屬於下列何種區域？ ›

#31 有關BJT三種基本組態放大器(CE、CB、CC)之特性比較，下列敘述何者有誤？ ›

#32 一N通道增強型MOSFET之臨界電壓\(V_T = 2 V\)，當工作於飽和區且閘－源極間電壓\(V_{GS} = 4 V\)時，汲極電流為4 mA；若\(V_… ›

#33 在振盪器中，下列何種電路的輸出信號波形為「弦波」？ ›

#34 有關BJT含射極回授電阻的分壓偏壓電路(無射極旁路電容)放大器之敘述，下列何者正確？ ›

#35 當運算放大器的輸入電壓變動時，輸出電壓的最大變化率為下列何者？ ›

#36 若BJT共射極放大器電路之電壓增益大小為100，當輸入電壓訊號\(v_i(t) = 20sin(377t) mV\)時，則其輸出電壓訊號為何？ ›

#37 單級放大器之低頻截止頻率為 \(f_L = 1 kHz\)，高頻截止頻率為 \(f_H = 200 kHz\)，若將兩個此種放大器串接成一組兩級放大器，則此串級… ›

#38 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？ ›

#39 一N通道空乏型MOSFET工作時，其閘極電壓為何？ ›

#40 一共射極(CE)放大器，其電壓增益大小為99。若在基極(B)與集極(C)之間存在一個寄生電容\(C_{bc} = 10 pF\)，根據米勒定理(Miller's… ›

#41 如右圖所示之電路，若D1及D2均為理想二極體，\(v_i(t) = 200\sqrt{2} \sin377t V\)，變壓器匝數比\(N_1：N_2：N_3＝1… ›

#42 如右圖所示之雙準位截波電路，若\(Vi ＝ 10 \sin(\omega t) V\)，且D1與D2為理想二極體，則Vo輸出波形之電壓範圍為何？ ›

#43 如右圖所示之電路，\(R_1 =10 k\Omega\)，\(R_2 = 5 k\Omega\)，\(R_E= 3.3 k\Omega\)，若電晶體之切入電壓\… ›

#44 如右圖所示之MOSFET電路，其臨界電壓\(V_T = 1.8 V\)，參數\(K = 1.2 mA/V^2\)，已選擇適當之\(R_D\) 使電路操作於飽和區… ›

#45 如右圖所示之電路，運算放大器之輸出飽和電壓為\(\pm15 V\)，\(R_1= 10 k\Omega\)，欲使電路產生振盪，則\(R_2\)之最小值及遲滯電壓… ›

#46 如右圖所示之振盪電路，Vo之振盪頻率為10 kHz，回授因數\(\beta = - \frac{1}{29}\)，則\(R_f\) 之最小值約為何？ ›

#47 有關電晶體(BJT)和場效電晶體(FET)的比較，下列敘述何者有誤？ ›

#48 正回授電路產生振盪時，下列敘述何者正確？ ›

#49 一電晶體放大電路對輸入弦波訊號僅具有半波導通之性能，則其類型屬下列何者？ ›

#50 二極體－電晶體邏輯電路中，電晶體工作於下列何種區域？ ›

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