taipower_recruit
115年
電子學
115年taipower_recruit — 電子學
共 50 題 · 含 AI 詳解
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#1
有關二極體與雙極性接面電晶體之比較,下列敘述何者有誤?
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#2
有關振盪器之敘述,下列何者有誤?
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#3
一橋式整流器輸出之平均電壓為10 V,試問其輸入交流電壓之峰值約為何?
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#4
有關二極體特性之敘述,下列何者有誤?
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#5
有關JFET共汲極放大電路之敘述,下列何者正確?
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#6
一差動放大器,其兩輸入電壓分別為\(V_{i1} = 55\mu V\),\(V_{i2} = 45\mu V\),共模拒斥比為40 dB,差模增益為500,下…
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#7
一單極點RC低通濾波器的時間常數為0.159 ms,則其三分貝頻帶寬約為何?
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#8
當理想運算放大器接成反相放大器時,若輸入為0.1 V,輸出為-1 V,若輸入為0.3 V,則輸出為何?
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#9
荷電載子在半導體內的漂移電流,是源自於下列何者?
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#10
下列何種方式可降低電阻-電容濾波電路之漣波電壓值?
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#11
某場效電晶體的\(K = 2 mA/V^2\),若直流工作點的汲極電流為8 mA,試問互導\(g_m\)為何?
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#12
有關場效電晶體之優點,下列何者有誤?
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#13
一功率電晶體,接面最高允許溫度\(T_{J(max)} = 175 ^{\circ}C\),在外殼溫度\(T_C = 25 ^{\circ}C\)下,若\(\t…
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#14
下列何者為輸出及輸入電壓反相180度的放大器組態?
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#15
有關串級放大器之敘述,下列何者有誤?
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#16
有關MOSFET特性之敘述,下列何者有誤?
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#17
如右圖所示之三級放大器,若輸入電壓\(V_{in} = 2 mV\),則輸出電壓\(V_{out}\)為何?
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#18
如右圖所示,若調整變壓器初級線圈與次級線圈的圈數比,可讓揚聲器獲得最大之功率,則此最大功率為何?
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#19
一功率放大器之直流輸入功率為50 W,交流輸出功率為43 W,則其類型屬下列何者?
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#20
如右圖所示,若稽納二極體之崩潰電壓\(V_z = 8 V\),則此稽納二極體之消耗功率為何?
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#21
有關兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大器電路之敘述,下列何者有誤?
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#22
如右圖所示之理想運算放大器電路,其輸出電壓\(V_o\)為何?
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#23
二極體在逆向偏壓時可當做電容器,當逆向偏壓變大時,下列何者正確?
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#24
本質半導體摻入下列何項雜質元素,即可成為P型半導體?
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#25
雙極性接面電晶體工作於主動區之\(\alpha = 0.99\),其\(\beta\)值為何?
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#26
有關稽納二極體之敘述,下列何者正確?
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#27
有關發光二極體(LED)元件之敘述,下列何者正確?
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#28
有關半導體之敘述,下列何者正確?
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#29
有關整流濾波電路之敘述,下列何者正確?
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#30
雙極性接面電晶體(PNP)操作於B-E接面逆偏,B-C接面順偏下,屬於下列何種區域?
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#31
有關BJT三種基本組態放大器(CE、CB、CC)之特性比較,下列敘述何者有誤?
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#32
一N通道增強型MOSFET之臨界電壓\(V_T = 2 V\),當工作於飽和區且閘-源極間電壓\(V_{GS} = 4 V\)時,汲極電流為4 mA;若\(V_…
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#33
在振盪器中,下列何種電路的輸出信號波形為「弦波」?
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#34
有關BJT含射極回授電阻的分壓偏壓電路(無射極旁路電容)放大器之敘述,下列何者正確?
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#35
當運算放大器的輸入電壓變動時,輸出電壓的最大變化率為下列何者?
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#36
若BJT共射極放大器電路之電壓增益大小為100,當輸入電壓訊號\(v_i(t) = 20sin(377t) mV\)時,則其輸出電壓訊號為何?
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#37
單級放大器之低頻截止頻率為 \(f_L = 1 kHz\),高頻截止頻率為 \(f_H = 200 kHz\),若將兩個此種放大器串接成一組兩級放大器,則此串級…
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#38
有關理想運算放大器的特性,下列敘述何者有誤?
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#39
一N通道空乏型MOSFET工作時,其閘極電壓為何?
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#40
一共射極(CE)放大器,其電壓增益大小為99。若在基極(B)與集極(C)之間存在一個寄生電容\(C_{bc} = 10 pF\),根據米勒定理(Miller's…
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#41
如右圖所示之電路,若D1及D2均為理想二極體,\(v_i(t) = 200\sqrt{2} \sin377t V\),變壓器匝數比\(N_1:N_2:N_3=1…
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#42
如右圖所示之雙準位截波電路,若\(Vi = 10 \sin(\omega t) V\),且D1與D2為理想二極體,則Vo輸出波形之電壓範圍為何?
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#43
如右圖所示之電路,\(R_1 =10 k\Omega\),\(R_2 = 5 k\Omega\),\(R_E= 3.3 k\Omega\),若電晶體之切入電壓\…
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#44
如右圖所示之MOSFET電路,其臨界電壓\(V_T = 1.8 V\),參數\(K = 1.2 mA/V^2\),已選擇適當之\(R_D\) 使電路操作於飽和區…
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#45
如右圖所示之電路,運算放大器之輸出飽和電壓為\(\pm15 V\),\(R_1= 10 k\Omega\),欲使電路產生振盪,則\(R_2\)之最小值及遲滯電壓…
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#46
如右圖所示之振盪電路,Vo之振盪頻率為10 kHz,回授因數\(\beta = - \frac{1}{29}\),則\(R_f\) 之最小值約為何?
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#47
有關電晶體(BJT)和場效電晶體(FET)的比較,下列敘述何者有誤?
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#48
正回授電路產生振盪時,下列敘述何者正確?
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#49
一電晶體放大電路對輸入弦波訊號僅具有半波導通之性能,則其類型屬下列何者?
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#50
二極體-電晶體邏輯電路中,電晶體工作於下列何種區域?
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