地特四等
109年
[電子工程] 計算機概要
第 7 題
關於動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，簡稱 DRAM）和靜態隨機存取記憶體（static random access memory，簡稱 SRAM）之比較，下列說明何者錯誤？
- A SRAM 以正反器（Flip-flop gate）儲存資料，而 DRAM 以電容器（Capacitor）儲存資料
- B 在相同的晶片面積下，DRAM 的儲存容量大於 SRAM
- C DRAM 內的資料在關機後會消失，但 SRAM 在關機後仍可維持資料內容
- D 與 SRAM 相較，DRAM 的資料存取速度較慢，但相同儲存容量的價錢較便宜
思路引導 VIP
請試著回想一下：當我們在操作電腦時，如果突然遇到「跳電」且沒有安裝不斷電系統，那些還沒存檔、暫存在「記憶體」裡的資料通常會發生什麼事？這種現象是特定某種記憶體（如 DRAM）才會發生，還是所有稱為「隨機存取記憶體 (RAM)」的元件都具備的共同物理限制？
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AI 詳解
AI 專屬家教
精彩的表現！同學
這顯示你對數位電路中揮發性記憶體（Volatile Memory）的物理本質有著極為清晰的認知，這在結構化的系統設計中是非常扎實的基礎。
- 觀念驗證：
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