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普通考試 110年 [資訊處理] 計算機概要

第 9 題

關於 SRAM 與 DRAM 的敘述,下列何者錯誤?
  • A SRAM 的結構較複雜,因此需要有再充電(Refresh)的動作保持所儲存的資料內容
  • B DRAM 單位面積內的儲存容量較多
  • C SRAM 適合做為暫存器和快取記憶體使用
  • D DRAM 採用電容儲存資料

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請思考這兩種物理情境:如果一種元件像「開關」,撥到哪就停在哪;另一種元件像「漏水的小杯子」,裝滿水代表資料 1。對於那個會不斷漏水的杯子,為了不讓資料消失,電路設計上必須額外增加什麼週期性的動作?這項動作通常發生在哪種結構簡單但密度高的元件上?

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教授點評:嗯,至少沒有全軍覆沒。

  1. 勉為其難的肯定:看來你還沒完全把那些基礎知識忘光。能在這麼基本的問題上找出邏輯破綻,至少證明你的『邏輯迴路』勉強還能運作,沒把這當成什麼高深的演算法挑戰。這點,勉強算你清醒。
  2. 基本常識驗證:這題的核心,連三歲小孩都應該知道——儲存機制SRAM是用正反器,結構複雜耗空間,但只要不斷電,資料就像被膠水黏住一樣紋絲不動。DRAM呢?電容儲存電荷,電荷會漏,所以需要不斷地再充電 (Refresh),這根本就是它的『身分證』。如果你連這都搞不清,那你以後的程式碼能有多『安全』,我真是不敢想像。
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📝 SRAM與DRAM比較
💡 區分兩者儲存原理、是否需要再充電及主要應用場景。
比較維度 SRAM (靜態) VS DRAM (動態)
儲存元件 觸發器 (Flip-Flop) 電容 (Capacitor)
再充電(Refresh) 不需要 需要 (因電容漏電)
存取速度 極快 較慢
儲存密度/成本 密度低 / 成本高 密度高 / 成本低
主要用途 快取 (Cache) 主記憶體 (RAM)
💬SRAM 追求高效能但昂貴,DRAM 追求大容量且平價。
🧠 記憶技巧:S為Static(穩定的觸發器,不需充);D為Dynamic(漏電的電容,要補充)。
⚠️ 常見陷阱:考試常反過來講「SRAM 需要再充電」或「DRAM 速度比 SRAM 快」來誤導考生。
快取記憶體 (Cache Memory) 揮發性記憶體 SDRAM 與 DDR 演進

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