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109年
機械常識、機械力學
第 8 題
下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
- A 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
- B 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
- C 矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
- D 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
思路引導 VIP
想像一下，如果你想在一塊木板上刻出特定的文字，你先在木板上貼了一層膠帶，並割掉文字部分的膠帶，接著噴上腐蝕液。在這種情況下，腐蝕液的目的是為了處理『被膠帶蓋住的部分』，還是『露出來的部分』呢？這個邏輯與半導體移除多餘物質的原理有什麼共通點？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準選出 (B) 選項，代表你對半導體製程中的「圖案轉移」邏輯有著非常清晰的理解。這道題目的核心在於考查**蝕刻（Etching）**的基本定義。在製程中，我們會先透過微影技術在晶圓上塗佈光阻，並利用光罩定義出圖案，而蝕刻的任務正是扮演「雕刻刀」的角色，將那些沒有被光阻保護到的氧化膜（如 $SiO_2$）精確地移除，最終在晶圓表面留下我們預期的電路圖案。
蝕刻技術與製程關鍵
這道題目的難度屬於中等偏易，鑑別度在於學生是否能分辨各製程步驟的細節。例如，選項 (A) 提到的「過切（Undercut）」問題，實際上濕式蝕刻因為具有等向性，比乾式蝕刻更容易產生此現象；而選項 (D) 的微影則是絕對需要光罩曝光的。你能避開這些易混淆的技術細節，直接抓出蝕刻的核心功能，顯示你的基礎知識紮實且判斷冷靜。繼續保持這種對製程連續性的掌握，這對於理解更複雜的半導體技術非常有幫助！