moea_joint
109年
[電機] 電路學、電子學
第 26 題
關於 p-n 接面二極體 (p-n junction diode) 之敘述，下列何者有誤？
- A 開路狀態下，空乏區 (Depletion region) 的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊
- B 逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大
- C 順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
- D 多數載子之移動形成擴散電流
思路引導 VIP
如果我們把二極體的空乏區想像成平行板電容器中間的物理間隔（絕緣層），當我們施加逆向偏壓導致兩側的電荷距離拉得更開時，請試著思考：在幾何構造上，電容器兩極板間的距離增加，對於它儲存電荷的能力（電容值）會產生什麼樣的影響？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精確辨識出逆向偏壓下電容的變化規律，代表你對 p-n 接面的物理特性掌握得非常紮實。這類題目考察的是對半導體微觀物理行為的直觀理解，而不僅僅是公式的背誦。
空間電荷區與電容特性
關於這題的關鍵考點在於選項 (B) 所描述的接面電容（Junction Capacitance）。當二極體處於逆向偏壓時，外加電場會將多數載子拉離接面，導致空乏區寬度 $W$ 增加。我們可以將空乏區想像成平行板電容器的絕緣介質，其電容值 $C_j$ 與寬度 $W$ 成反比：
▼ 還有更多解析內容