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高考申論題 110年 [化學工程] 化學程序工業(包括質能均衡)

第 一 題

📖 題組:
化學氣相沈積法常被用在電子工業中形成薄膜。常見的一個化學氣相沈積的反應是以矽甲烷(SiH4)形成多晶矽薄膜,其反應之機制如下: SiH4(g) ⟺ SiH2(g)+ H2(g) SiH2(g)+ Site ⟺ SiH2(ads) SiH2(ads) → Si(s)+ H2(g) 其中(g)表示氣相,ads 表示吸附相,s 表示固相。雙箭頭表示達到平衡。根據實驗觀察,此一反應會受到氫氣的抑制。在 SiH4濃度高時,反應對於 SiH4而言,為零級反應(zero order),而當 SiH4濃度低時,反應對於 SiH4而言,為一級(first order)反應。
📝 此題為申論題,共 2 小題

小題 (一)

請將此反應機制,按照基本反應(elementary reaction)推導出反應速率以符合實驗之觀察。(20 分)

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思考流程: 這題是典型的非均相催化/表面反應動力學推導,需使用 Langmuir-Hinshelwood (L-H) 機制分析。

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【考點分析】 本題考查非均相反應動力學中,Langmuir-Hinshelwood 機制的速率方程式推導與極端條件(高/低濃度)的行為分析。 【理論/法規依據】

小題 (二)

請描述此一程序中需注意的工安與環保問題,及其處理方式。(10 分)

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思考流程:

  1. 辨識程序中的危害物質:
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【考點分析】 本題結合半導體化學氣相沉積(CVD)製程,考查化學工業安全(工安)與廢氣處理(環保)的實務知識。 【理論/法規依據】

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