高考申論題 110年 [電子工程] 半導體工程

第一題

📖 題組：
五、(一)和化學氣相沉積（atomic layer deposition, ALD）技術相比較，請說明原子層沉積技術的優點與缺點。（10 分） (二)請解釋電遷移（electromigration）現象，並說明如何改善此現象。（10 分）

📝 此題為申論題，共 2 小題

小題 (一)

和化學氣相沉積（atomic layer deposition, ALD）技術相比較，請說明原子層沉積技術的優點與缺點。（10 分）

這題考的是製程技術。ALD 其實也是 CVD 的一種特殊形式（循環式 CVD）。重點在於 ALD 是「自我限制反應」(Self-limiting reaction)。比較優缺點時，從薄膜的均勻度、階梯覆蓋率、生長速度、成本四個維度來寫。

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【考點分析】 ALD 技術特性、薄膜沉積製程比較。【理論/法規依據】

請解釋電遷移（electromigration）現象，並說明如何改善此現象。（10 分）

電遷移是金屬導線的可靠度問題。思考關鍵詞：「電子風」(Electron wind)、「原子位移」。改善方式則要從材料改進（合金、介面）和設計規則（電流密度限制）兩方面切入。

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【考點分析】內連線可靠度（Interconnect Reliability）、電遷移物理機制、材料改進。【理論/法規依據】