110年高考申論題 — 半導體工程

共 10 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、(一)何謂歐傑複合（Auger recombination）效應？它通常發生於何種狀況？（10 分） (二)由 p 型矽（Si）半導體與銅（Cu）形成蕭特基… 2 小題 › 第二題 二、一般 p-n 二極體的等效電路模型如下圖所示， (一)在順向偏壓下，請說明兩個電容 C1 和 C2 的來源為何？（10 分） (二)請說明兩個電阻 RS 和… 2 小題 › 第三題 三、(一)對一工作於主動模式（active mode）的 npn 雙極性電晶體，假設基極對射極的偏壓為 VBE，基極寬度為 WB，WB 遠小於電子的擴散長度，且… 2 小題 › 第四題 四、(一)以短通道（short channel）的金氧半場效電晶體（MOSFET）為例，請說明短通道長度對臨界電壓的影響。（10 分） (二)以金氧半場效電晶體… 2 小題 › 第五題 五、(一)和化學氣相沉積（atomic layer deposition, ALD）技術相比較，請說明原子層沉積技術的優點與缺點。（10 分） (二)請解釋電遷… 2 小題 ›