高考申論題
110年
[電子工程] 半導體工程
第 一 題
📖 題組：
二、一般 p-n 二極體的等效電路模型如下圖所示， (一)在順向偏壓下，請說明兩個電容 C1 和 C2 的來源為何？（10 分） (二)請說明兩個電阻 RS 和 RP 的來源為何？（10 分） [圖示包含一個串聯電阻 RS，接續一個並聯結構，內含電阻 RP、電容 C1 與電容 C2]
二、一般 p-n 二極體的等效電路模型如下圖所示， (一)在順向偏壓下，請說明兩個電容 C1 和 C2 的來源為何？（10 分） (二)請說明兩個電阻 RS 和 RP 的來源為何？（10 分） [圖示包含一個串聯電阻 RS，接續一個並聯結構，內含電阻 RP、電容 C1 與電容 C2]
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (一)
在順向偏壓下，請說明兩個電容 C1 和 C2 的來源為何？（10 分）
思路引導 VIP
二極體的電容效應主要分為兩類：電荷在空乏區的變化，以及電荷在中性區的儲存。看到「順向偏壓」就要聯想到這兩種機制都會存在，只是重要程度不同。答題時應明確指出 C1、C2 分別代表接面電容與擴散電容，並解釋其物理物理意義。
小題 (二)
請說明兩個電阻 RS 和 RP 的來源為何？（10 分）
思路引導 VIP
電阻的來源不外乎材料本身、接觸介面以及非理想的漏電路徑。$R_s$ 是串聯的，表示它在主電流路徑上；$R_p$ 是並聯的，表示它是一個額外的損耗路徑。從元件結構由內而外思考即可得出答案。