高考申論題
113年
[電子工程] 半導體工程
第 三 題
三、p-n 接面二極體與蕭特基能障（Schottky barrier）二極體均可具有整流（rectification）功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件之「逆向飽和電流密度（reverse-saturation current density）」之因素分別為何？（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
這題是比較題。核心考點在於 p-n 接面與 Schottky 二極體的物理機制差異：p-n 接面是「少數載子擴散」控制，而 Schottky 是「熱場發射（多數載子過障）」控制。應列出 J0 (p-n) 與 JST (Schottky) 的公式，並分析其中的參數，如摻雜濃度、能隙、能障高度與溫度。特別要強調兩者對溫度的敏感度與能障高度的影響。