113年高考申論題 — 半導體工程

共 7 題 · 含 AI 詳解

第一題 砷化鎵（GaAs）半導體在 T=300 K 之本質載子濃度 ni =1.8×10⁶ cm⁻³，其施體雜質與受體雜質濃度分別為 ND=2×10¹⁶ cm⁻³及 N… 2 小題 › 第二題 二、(一)請輔以數學表示式說明影響半導體「導電率（conductivity）」之因素為何？（10 分） (二)載子傳輸包含漂移（drift）與擴散（diffus… 2 小題 › 第三題 三、p-n 接面二極體與蕭特基能障（Schottky barrier）二極體均可具有整流（rectification）功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件… › 第四題 四、矽半導體 n 通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm²/V-s、臨界電壓… › 第五題 五、試就「加熱週期」、「加熱率」、「熱預算」、「製程產能」等四項因素，分別比較傳統爐管熱退火與快速熱退火（RTA）技術之差異？（20 分） ›