113年高考申論題 — 半導體工程

共 10 題 · 含 AI 詳解

第一題 一、請說明在矽晶圓中 N 型半導體的多數載子是什麼？矽晶圓中 N 型摻雜物是那些材料？（10 分） 3 小題 › 第二題 二、在 P 型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？（20 分） 3 小題 › 第三題 三、p-n 接面二極體與蕭特基能障（Schottky barrier）二極體均可具有整流（rectification）功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件… › 第四題 四、矽半導體 n 通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm²/V-s、臨界電壓… › 第五題 五、試就「加熱週期」、「加熱率」、「熱預算」、「製程產能」等四項因素，分別比較傳統爐管熱退火與快速熱退火（RTA）技術之差異？（20 分） › 第六題 六、半導體製程中量測電阻為何須用四點探針，請畫出其量測圖。（20 分） ›