高考申論題
113年
[電子工程] 半導體工程
第 二 題
二、在 P 型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
看到「P型矽晶圓上製作電阻」，首先要想到微電子元件中電阻的核心要素：「材料片電阻（Sheet Resistance）」與「與基板的電氣隔離」。可從材料與結構層次切入思考三種常見作法：(1) 直接在基板內製作（需反型摻雜與 PN 接面逆偏隔離）、(2) 在絕緣層上沉積半導體材料（多晶矽）、(3) 在絕緣層上沉積導體材料（金屬/合金薄膜）。
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【破題】在 P 型矽晶圓上製作電阻的核心在於「阻值控制」與「電性隔離」。常見的三種製程包含利用矽基板本身的擴散/植入電阻，以及沉積在絕緣層上的多晶矽電阻與金屬薄膜電阻。 【論述】 一、擴散/離子植入電阻 (Diffused/Implanted Resistor)
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