第 六 題

這題考驗的是半導體製程中離子佈植（Ion Implantation）的「通道效應（Channeling effect）」。思考邏輯：1. 背景：單晶半導體（如矽晶圓）原子排列非常規律。2. 垂直植入：如果離子束恰好平行於主要的晶體軸（如 <100> 或 <111>）入射，離子會在晶格的「通道」中穿梭，很少與原子核發生碰撞，導致植入深度異常深，且濃度分佈無法由傳統LSS理論的高斯分佈來預測，這稱為通道效應。3. 傾斜植入（Tilt angle implant）：為了避免上述問題，實務上會將晶圓傾斜一個小角度（通常是 7度），這樣離子一進入晶片就會立刻「看見」原子並發生碰撞。對離子束而言，這時的晶格等效於「非晶態（Amorphous）」，從而得到較淺且容易精確控制、符合高斯分佈的植入輪廓。論述時條理對比兩者即可。