高考申論題
107年
[電子工程] 半導體工程
第 六 題
請分別說明：短通道效應（short-channel effect）及窄通道效應（narrow-channel effect），對於金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOSFET）臨界電壓（threshold voltage, VT）之影響？（10 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
這題考 MOSFET 的比例縮放非理想效應。重點在於閘極對通道電荷的「控制權」如何被源極/汲極或側邊場（Fringing field）瓜分。分析時要明確指出 $V_T$ 是增加還是減少。