107年高考申論題 — 半導體工程

共 10 題 · 含 AI 詳解

第一題 半導體材料矽（Si）及砷化鎵（GaAs）： (一)試分別指出其為何種晶格結構（crystal structure）？（5 分） (二)請說明兩者之能帶圖結構各為… 2 小題 › 第二題 砷化鎵（GaAs）於溫度 T = 300 K 時，其能隙（bandgap） Eg = 1.42 eV、本質載子濃度（intrinsic carrier conc… › 第三題 假設在一半導體中之載子傳輸以漂移（drift）為主要機制： (一)請說明「載子遷移率（carrier mobility, μ）」之物理意義？（10 分） (二)… 2 小題 › 第四題 假設在矽（Si）半導體中，其電子濃度依位置 x 變化之分布函數可表示為 n(x) = 10^15 e^(-x/Ln) cm^-3 (x >= 0)，電子之擴散長… › 第五題 請說明 p-n 接面因外加逆向偏壓、導致接面崩潰（junction breakdown）時，常見之兩種物理機制？（10 分） › 第六題 請分別說明：短通道效應（short-channel effect）及窄通道效應（narrow-channel effect），對於金屬-氧化物-半導體場效電晶體… › 第七題 「基極寬度調變（base width modulation）效應」為雙極性電晶體（bipolar transistor）非理想效應之其一，請說明導致此效應之原因… › 第八題 假設以氟原子（F）進行矽（Si）或二氧化矽（SiO2）的蝕刻時，其蝕刻率可表示為： 蝕刻率（nm/min）= A * nF * T^0.5 * exp(-Ea… ›