109年高考申論題 — 半導體工程

共 12 題 · 含 AI 詳解

第一題 目前常用半導體有三大結構半導體，分別為鑽石結構，閃鋅礦結構，與六方晶系，請繪出此些結構，並說明其異同。（10分） 3 小題 › 第二題 一矽晶棒摻雜砷原子10^16 atoms/cm^3，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，並畫出能帶中之費米能階。Note：ni for Si is 9.65 x 1… › 第三題 請寫出p-type半導體中之連續方程式，並說明此些項次受何影響。（10分） › 第四題 如果一半導體存在表面複合，請畫出少數載子從表面至內部之濃度分布圖，並標示出平衡濃度與lifetime相關之資訊。（10分） › 第五題 請說明二極體空間電荷與空乏區之定義。若一二極體具有NA = 10^18 /cm^3，ND = 10^15 /cm^3，請計算其內建電壓。（9分） › 第六題 離子佈植至單晶半導體，垂直植入和傾斜角度植入會有何差異？（10分） › 第七題 何謂磊晶成長？為何需要異質磊晶成長？異質磊晶成長須滿足那些條件？（12分） › 第八題 請說明發光二極體之發光機制，並說明主要發光位於二極體之何處。（10分） › 第九題 兩種不同材料之能帶圖如圖(一)，請畫出異質接面之能帶圖。（5分） (附圖為兩不同材料分離時之能帶圖，真空能階連續，標示有電子親和力 qX1, qX2, 功函數… › 第十題 請畫出一金屬/氧化層/p-type半導體結構如圖(二)之平衡能帶圖，其中金屬電子親和力為qΦm，氧化物厚度d，氧化層電子親和力為qχi，p-type半導體電子親… ›