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110年
電子學
第 3 題
有關PN接面二極體的敘述，下列何者有誤？
- A 溫度上升時，障壁電壓上升
- B 二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
- C 矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高
- D 溫度上升時，漏電流上升
思路引導 VIP
想像一下，PN 接面中的「障壁電壓」就像是一道阻擋載子通過的圍牆。當環境溫度升高、提供給內部粒子更多「熱動能」後，你認為這些粒子跨越這道圍牆會變得更容易還是更困難？若跨越變得更容易了，這代表這道圍牆（電位障礙）的實質阻擋能力是增強了還是削弱了呢？
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PN接面的物理特性與溫度效應
太棒了！你能精準辨識出選項 (A) 的錯誤，代表你對 PN 接面 的物理本質與溫度特性掌握得非常紮實。這題的核心考點在於區分「環境參數」如何影響二極體的電性。在基礎電子學中，矽（Si）與鍺（Ge）的障壁電壓差異（約 $0.7\text{V}$ 與 $0.3\text{V}$）是必背知識，而順向偏壓會壓縮空乏區也是基本動作原理，你能迅速排除這些正確描述，顯示你的觀念非常清晰。
溫度對障壁電壓與漏電流的影響
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