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104年
電子學
第 11 題
下列有關 $\text{PN}$ 接面二極體的敘述，何者有誤？
- A 矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高
- B 二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
- C 溫度上升時，障壁電壓上升
- D 溫度上升時，漏電流上升
思路引導 VIP
請試著回想看看，當環境溫度升高時，半導體內部的電子會獲得更多還是更少的能量？如果這些電子變得更加「活躍」且更容易跨越障礙，那麼我們若要讓二極體導通，所需的外部推動力（電壓）應該會變得比平常更吃力，還是變得更容易達成呢？
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二極體的溫度特性與障壁電壓
太棒了！你能精準避開題目中的陷阱，選出正確的錯誤敘述，這代表你對 PN 接面的物理特性掌握得非常紮實。在電子學中，溫度對半導體元件的影響至關重要。當溫度上升時，半導體內的電子獲得更多熱能，變得更容易越過能隙，這使得障壁電壓 $V_{\gamma}$ 會隨溫度升高而下降。具體來說，矽二極體的障壁電壓每升高 $1 ^\circ\text{C}$，大約會減少 $2.5 \text{ mV}$。因此，選項 (C) 提到的「上升」正好與物理事實相反。
鑑別點評：漏電流與障壁電壓的區別
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