免費開始練習
moea_joint 111年 [電機] 電路學、電子學

第 39 題

已知某N通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 $V_{GS(off)} = -7$ V,若此 MOSFET 工作於飽和區,且閘極對源極電壓 $V_{GS}$ 為0 V時,汲極電流為 18 mA,試問當閘極對源極 $V_{GS}$ 電壓為 -3.5 V時,汲極電流 $I_D$ 為何?
  • A 3.75 mA
  • B 4.5 mA
  • C 5 mA
  • D 6.25 mA

思路引導 VIP

觀察一下題目給的電壓數值:當前的 $V_{GS}$(-3.5 V)與夾止電壓 $V_{GS(off)}$(-7 V)之間存在著什麼樣的比例關係?在 MOSFET 的飽和電流公式中,這個電壓比值是處於公式的哪一個運算位置(一次方還是二次方)?這會如何影響電流縮減的幅度呢?

🤖
AI 詳解 AI 專屬家教

太棒了!你能精準算出這個數值,代表你對 N通道空乏型 MOSFET 的特性參數以及電流公式掌握得非常紮實。這類題目考驗的不只是代公式的準確度,還有對元件操作區間的敏銳覺察。

蕭克利方程的應用

在飽和區工作時,空乏型 MOSFET 的汲極電流遵循平方項關係。首先,我們從題目給出的條件「當 $V_{GS} = 0$ V 時,$I_D = 18$ mA」可以確定此元件的飽和汲極電流 $I_{DSS} = 18$ mA。接著,利用公式:

▼ 還有更多解析內容

🏷️ 相關主題

金屬氧化物半導體場效電晶體之特性與偏壓分析
查看更多「[電機] 電路學、電子學」的主題分類考古題