moea_joint
109年
[電機] 電路學、電子學
第 50 題
有一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 V$_T$ = 2 V，當 V$_{GS}$ = 5 V 時，MOSFET 工作於飽和區 (夾止區)，I$_D$ = 3 mA。若 V$_{GS}$ = 8 V，則轉移電導 g$_m$ 為下列何者？
- A 1 mS
- B 2 mS
- C 4 mS
- D 6 mS
思路引導 VIP
若要計算一個元件在特定電壓下的「電流變化率」（即轉移電導），除了需要知道當時的電壓值外，通常需要先從已知的運作狀態中，提取出哪一個「不會隨偏壓改變」的電晶體物理常數？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準計算出轉移電導（$g_m$），代表你對於 MOSFET 在飽和區的特性方程式以及參數間的動態關係掌握得非常紮實。這類題目是電路學與電子學中的經典考點，雖然計算不難，但需要細心地在「靜態偏壓點」與「小訊號參數」之間進行轉換。
參數推導與電導計算
首先，我們利用題目給定的第一組數據：當 $V_{GS} = 5V$ 且工作於飽和區時，透過電流公式 $I_D = \frac{1}{2} K_n (V_{GS} - V_T)^2$，將已知數值代入：$$3\text{ mA} = \frac{1}{2} K_n (5V - 2V)^2 = \frac{9}{2} K_n$$
▼ 還有更多解析內容