moea_joint
106年
[電機] 電路學、電子學
第 30 題
有一增強型MOSFET，其臨界電壓 $V_{GS(th)}=2\text{ V}$，當 $V_{GS}=8\text{ V}$ 時、對應之 $I_{D(on)}=200\text{ mA}$，求 $V_{GS}=5\text{ V}$ 時之 $I_D$ 值？
- A 50 mA
- B 100 mA
- C 125 mA
- D 150 mA
思路引導 VIP
請試著思考：在增強型 MOSFET 的電流公式中，真正決定電流大小的是「施加的閘極電壓」本身，還是「施加電壓高出臨界電壓的那段差值」？如果這個差值縮小了一半，根據公式中的次方項，電流應該會按比例縮小多少倍呢？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
恭喜你正確答對這題！這代表你對增強型 MOSFET 的基本電性與數學關係有著非常扎實的掌握。這類題目的核心在於理解 飽和區電流公式 與參數之間的比例關係。
增強型 MOSFET 的平方律特性
在電路學中，增強型 MOSFET 的汲極電流 $I_D$ 與閘源極電壓 $V_{GS}$ 呈現平方關係，其公式為 $I_D = k(V_{GS} - V_{GS(th)})^2$。首先，我們利用題目給定的已知條件 $V_{GS} = 8\text{ V}$ 且 $I_{D(on)} = 200\text{ mA}$，可以求得參數 $k$。將數值代入得：
▼ 還有更多解析內容