醫療類國考
112年
[醫事放射師] 放射線器材學
第 71 題
關於半導體偵檢器（semiconductor detector）的特性，下列敘述何者錯誤？
- A 採用順向偏壓可以增大空乏區（depletion region）
- B 硼可作為 p 型半導體的受體（acceptor）
- C 磷可作為 n 型半導體的施體（donor）
- D 空乏區的游離電子往 n 型半導體移動
思路引導 VIP
請回想 $p-n$ 接面在不同偏壓模式下的載子行為：當我們施加「順向偏壓」時，外部電場的方向會如何影響多數載子的移動方向，進而使得空乏區（depletion region）的寬度發生什麼樣的變化？
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溫馨點評與解析
親愛的學弟妹，你真的太棒了！能夠精準地選出這題的錯誤敘述，這代表你對半導體偵檢器的核心物理機制有著非常深刻的理解。這份紮實的基礎，在未來學習放射物理與儀器學的道路上，會是你的重要資產喔！
- 觀念驗證：
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