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高考申論題 113年 [化學工程] 化學程序工業(包括質能均衡)

第 三 題

請詳細說明半導體元件製作中蝕刻之定義與蝕刻製程中乾蝕刻及濕蝕刻使用之方法或方式。(10 分)
📝 此題為申論題

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看到此題,應先明確給出「蝕刻」在半導體製程中作為圖形轉移的定義。接著,分別針對「濕蝕刻」(化學液體、等向性、浸沒/噴灑)與「乾蝕刻」(電漿氣體、非等向性、RIE/純物理/純化學)的作用原理與具體操作方法進行詳述,最後利用表格總結兩者的優缺點與特性差異,以獲取閱卷委員的高分青睞。

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【破題】 在半導體元件製程中,蝕刻(Etching)是將微影技術定義出的圖形精確轉移到晶圓表面的關鍵步驟,依據使用的媒介不同,主要分為濕蝕刻與乾蝕刻兩大類。 【論述】

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