地特四等申論題
114年
[電信工程] 電子學概要
第 二 題
二、如圖二所示電路為金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器之小信號電路模型，其中電晶體參數為gm ＝ 2 mA/V。試求電路之小信號電壓增益Vo / Vi、輸入電阻Ri及輸出電阻Ro。（25 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
本題要求分析 MOSFET 的共源極放大器小信號模型。首先要看懂等效電路圖所標示的變數位置：
- 輸入電阻 Ri：觀察箭頭標示，Ri 是從閘極(G)看進去的電阻。由於 MOSFET 在低頻下閘極是開路的（無閘極電流），所以 Ri 為無窮大。
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【考點分析】 本題考查 MOSFET 共源極放大器小信號模型（Small-Signal Model）之基礎分析，包含電壓增益的計算，以及輸入與輸出電阻的觀察與推導。 【理論/法規依據】
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