第 一 題

「電漿蝕刻（plasma etching）」屬於乾蝕刻（dry etching）。 其原理為利用氣體輝光放電產生電漿（包含高活性的自由基與離子），使其與晶圓表面的薄膜材料發生化學反應，生成揮發性氣體產物後再由真空系統抽出。由於整個反應過程中完全不需要使用液態化學溶劑，因此歸類為乾蝕刻技術。

【破題】 「濕蝕刻」對不同材料具有較高的選擇性。 【論述】

「濕蝕刻」屬於「等向性（isotropic）蝕刻」。 濕蝕刻是利用化學藥液與半導體材料表面進行化學反應來移除特定區域的材料。由於化學溶液在各個方向（垂直與水平）的反應與侵蝕速率大致相同，蝕刻不僅會向下進行，也會向兩側的保護膜下方進行（即產生側向鑽蝕，Undercut 現象），因此表現出等向性蝕刻的特徵。

「乾蝕刻」主要屬於「非等向性（anisotropic）蝕刻」。 在電子材料與半導體製程中，乾蝕刻（如反應離子蝕刻，RIE）是利用電漿解離出的高能離子，受電場引導以垂直方向轟擊晶圓表面。這種結合物理性轟擊與化學性反應的蝕刻方式，具有高度的方向性，能有效向下蝕刻而極少產生側向鑽蝕（Undercut）現象。因此，乾蝕刻被歸類為非等向性蝕刻，廣泛應用於高深寬比及微細線寬的圖案轉移製程。