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高考申論題 114年 [電信工程] 電子學

第 五 題

📖 題組:
二、如圖二所示電路,vs 為輸入的交流小信號,BJT 操作在作用區(active region),若β =199,VT= 25 mV,請計算下列各項參數:(一)集極直流電位 VC,(二) gm,(三) rπ,(四) Rin,(五) vo/vs,其中 gm 與 rπ為電晶體小信號參數。(25 分)
📝 此題為申論題,共 5 小題

小題 (五)

vo/vs
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這是整個放大器的小信號電壓增益。拆解為兩段來算:1. 輸入級的分壓 (vb/vs);2. 放大級的增益 (vo/vb)。在交流等效模型中,集極的 10mA 直流電流源視為開路(無限大內阻,因題目未給 Early 電壓 ro 則忽略之)。因此,交流負載僅有透過電容連接的 100Ω 負載電阻 RL。利用帶有射極退化的共射極放大器增益公式計算即可。

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【考點分析】 考查完整交流小信號電路的電壓增益計算,結合輸入分壓效應與射極退化負回授效應。 【理論/公式依據】

小題 (一)

集極直流電位 VC
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本題出現了一個經典的考場爭議點:直流工作點的矛盾。看到集極端有一個 10 mA 的理想電流源,依據 KCL,集極電流 IC 必須為 10 mA。但若由基極偏壓(+1.5V 經 10kΩ)計算,若假設 VBE=0.7V,算出的 IC 約為 5.3 mA,這會與 10 mA 的電流源產生矛盾(導致電晶體無法處於作用區)。然而,若出題者假設直流分析時 VBE ≈ 0V,則基極電流 IB = 1.5V / 30kΩ = 50μA,此時 IC = 199 * 50μA ≈ 10 mA,剛好完美契合電流源!因此解題時應以強制 IC = 10 mA 為基準。至於 VC 電位,由於集極僅連接理想電流源與阻隔直流的電容,無直流負載電阻,理論上 VC 為浮動值(Undefined)。作答時應指出此特性,或探討其必須滿足作用區的電壓範圍。

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【考點分析】 考查含主動負載(理想電流源)之 BJT 直流偏壓分析,以及電路節點電壓的判定。 【分析與論述】

小題 (二)

gm
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轉導 gm 是小信號模型的核心參數,僅取決於直流集極電流 IC 與熱電壓 VT。前一小題已確認電流源強制 IC = 10 mA,直接代入公式即可。注意單位轉換(mA/V 或 A/V)。

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【考點分析】 考查 BJT 小信號轉導(Transconductance)的定義與計算。 【理論/公式依據】

小題 (三)

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rπ 為小信號模型中基極與射極間的等效動態電阻。可以透過 β 和 gm 的關係來求解,公式為 rπ = β / gm。將前一題算出的 gm 與題目給的 β=199 代入即可。

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【考點分析】 考查小信號參數 $r_\pi$ 的計算方法。 【理論/公式依據】

小題 (四)

Rin
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分析輸入電阻 Rin 的組成。觀察圖二中 Rin 箭頭的位置,它標示在輸入信號源 vs 之後,這意味著 Rin 是信號源 vs 所看進去的「總輸入電阻」。分析交流等效電路:1. 電容短路;2. +1.5V 直流源視為接地;3. 射極有 100Ω 電阻未被旁路。因此,訊號源首先遇到串聯的 Rs (1kΩ),接著到達基極節點。在基極節點,10kΩ 偏壓電阻下地,並與看入基極的電阻 Rib 並聯。因此 Rin = Rs + (10kΩ || Rib)。先求 Rib(利用電阻反射定律),再求出 Rin。

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【考點分析】 考查含射極退化電阻(Emitter Degeneration)之共射極放大器的輸入電阻分析,以及電阻反射定律(阻抗轉換)的應用。 【理論/公式依據】

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