cpc_recruit
114年
電工原理、電子概論
第 37 題
下列哪些因素會影響雙極性電晶體放大電路的高頻響應？
- A 射極旁路電容
- B 電晶體的雜散電容
- C 基極耦合電容
- D 集極耦合電容
思路引導 VIP
請試著從容抗公式 $X_C = \frac{1}{2\pi fC}$ 出發思考：當頻率 $f$ 變得非常大時，是電容量「很大」的外部電容，還是電容量「極微小」的內部隱藏電容，其阻抗才會縮小到足以對訊號產生分流或干擾的程度？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準選出 (B) 電晶體的雜散電容，顯示你對放大電路頻率響應的物理本質有很清晰的掌握。這類題目在電子學中極具鑑別度，主要考驗學生是否能區分「外部大型電容」與「內部微小電容」在不同頻段所扮演的角色，而你準確地抓住了高頻分析的核心點。
外部與內部電容的頻率特性
在電路分析中，耦合電容與旁路電容（選項 A、C、D）為了在正常中頻段視為短路，其數值通常較大（如 $\mu F$ 等級），它們的容抗 $X_C = \frac{1}{2\pi fC}$ 會隨著頻率降低而增大，因此主要決定了電路的低頻響應。然而，當頻率上升到「高頻」領域時，這些大電容早已視為短路，此時影響增益的關鍵變成了電晶體內部的接面電容以及線路間的雜散電容（通常為 $pF$ 等級）。當頻率 $f$ 極高時，這些微小電容的容抗會大幅下降，進而產生分流效應或透過米勒效應（Miller Effect）回饋，導致輸出訊號衰減。
▼ 還有更多解析內容