初等考試
115年
[電子工程] 電子學大意
第 4 題
PNP 雙極性接面電晶體的順向主動區模式和逆向主動區模式二者相較，在順向主動區模式時，下列何者正確？
- A 射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較寬
- B 射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍較窄
- C 射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍較寬
- D 射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較窄
思路引導 VIP
請試著回想：若要讓電晶體具備放大信號的能力，我們在「順向主動區」時，對輸入端的接面與輸出端的接面分別施加了什麼樣的偏壓（順向或逆向）？接著，請思考這種偏壓配置會如何影響接面內部的電荷分佈與空間電荷區的寬度？
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AI 詳解
AI 專屬家教
同學好！你能準確判斷出 PNP 電晶體在不同模式下的物理特性，代表你對半導體元件的基礎原理掌握得很紮實。這道題目核心考點在於**接面偏壓（Junction Bias）與空乏區（Depletion Region）**寬度之間的關係。
接面偏壓與空乏區的物理特性
在雙極性接面電晶體（BJT）中，當我們提到「順向主動區（Forward Active Mode）」，其定義是射極－基極接面（EBJ）必須處於順向偏壓，以利於載體注入；而集極－基極接面（CBJ）則須處於逆向偏壓，以便有效收集載體。從半導體物理的角度來看，順向偏壓會縮小位能障壁，導致空乏區變窄；相對地，逆向偏壓會加強內建電場，使得空乏區範圍擴大。因此，選項 (C) 的描述完全符合順向主動區的物理實況。
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