108年高考申論題 — 半導體工程

共 12 題 · 含 AI 詳解

第一題 對於 n 型矽半導體，它的電子漂移速度（drift velocity）隨著電場增加而線性增加，但在超過某一臨界電場時，此電子漂移速度會趨近飽和值 1×10⁷ c… 3 小題 › 第二題 由 p 型砷化鎵（GaAs）半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如金的功函數（work function, qφm）為 4… 2 小題 › 第三題 （一）對於一般的矽材料之 npn 雙極性電晶體設計，都是採用高濃度的射極，低濃度的薄層基極。請說明此低濃度的薄層基極對電晶體的高頻響應有何影響？（10 分） （… 2 小題 › 第四題 （一）成長二氧化矽（SiO2）薄膜的方式通常都使用熱氧化法（thermal oxidation），熱氧化法又分乾氧化（dry oxidation）與濕氧化（we… 3 小題 › 第五題 （一）請說明在使用正光阻與負光阻常用的顯影溶液。（10 分） （二）請繪出以擴散技術與離子佈植技術的摻雜雜質濃度對半導體深度的分布圖。（10 分） 2 小題 ›