高考申論題
108年
[電子工程] 半導體工程
第 一 題
📖 題組：
（一）請說明在使用正光阻與負光阻常用的顯影溶液。（10 分） （二）請繪出以擴散技術與離子佈植技術的摻雜雜質濃度對半導體深度的分布圖。（10 分）
（一）請說明在使用正光阻與負光阻常用的顯影溶液。（10 分） （二）請繪出以擴散技術與離子佈植技術的摻雜雜質濃度對半導體深度的分布圖。（10 分）
📝 此題為申論題，共 2 小題
小題 (一)
(一) 請說明在使用正光阻與負光阻常用的顯影溶液。
思路引導 VIP
考查半導體黃光製程的化學藥劑知識。1. 正光阻機制：曝光區感光後變為可溶（鏈結斷裂或酸催化）。2. 負光阻機制：曝光區感光後變為不可溶（交聯反應）。3. 顯影液類型：水基鹼性溶液 vs. 有機溶劑。
小題 (二)
(二) 請繪出以擴散技術與離子佈植技術的摻雜雜質濃度對半導體深度的分布圖。
思路引導 VIP
這題要求繪圖比較兩種摻雜技術的濃度剖面（Concentration Profile）。1. 擴散（Diffusion）：通常是 erfc（補餘誤差函數）或 Gaussian（高斯分佈），峰值固定在表面（$x=0$）。2. 離子佈植（Ion Implantation）：典型的高斯分佈，峰值在半導體內部（Projected Range, $R_p$），且具有標準差（Straggle, $Delta R_p$）。