108年高考申論題 — 材料分析

共 11 題 · 含 AI 詳解

第一題 X 光繞射分析為解析材料晶體結構常用的技術，(一)請說明 X 光繞射原理。（10 分）(二)當欲分析的樣品為薄膜時，一般會選用低掠角 X 光繞射儀，請說明其原因… 3 小題 › 第二題 由於材料及應用的發展趨勢均朝向微小化，微結構的觀察在製程開發上顯得相當重要，目前穿透式電子顯微鏡的高解析影像（HRTEM）及掃瞄穿透式電子顯微鏡的高角度環形暗場… 3 小題 › 第三題 EDS 是分析樣品組成時常用的技術，(一)請說明其分析原理，（10 分）(二) EDS 通常被認為僅能做半定量分析，請說明其原因，（10 分）(三)如何判斷所得… 3 小題 › 第四題 材料的局部電子結構，例如金屬元素的價態，對材料特性極為重要。XAS 為目前常用的電子結構分析方法，(一)請說明經由 XAS 分析可獲得那些材料訊息，並說明 XA… 2 小題 ›