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高考申論題 108年 [材料工程] 材料分析

第 一 題

📖 題組:
X 光繞射分析為解析材料晶體結構常用的技術,(一)請說明 X 光繞射原理。(10 分)(二)當欲分析的樣品為薄膜時,一般會選用低掠角 X 光繞射儀,請說明其原因。(5 分)(三)若改以電子束進行繞射,所得繞射結果有何異同?(10 分)
📝 此題為申論題,共 3 小題

小題 (一)

請說明 X 光繞射原理。(10 分)

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看到這題,首先要聯想到 X 光與物質作用的「彈性散射」本質,以及晶體作為「天然三維光柵」的特性。接著必須精確寫出布拉格定律(Bragg's Law)的公式與各參數物理意義,並進階點出結構因子(Structure Factor)對繞射強度的影響,展現材料科學的專業深度。

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【破題】 X 光繞射(XRD)的基本原理是利用波長與原子間距相近的 X 光,與晶體內原子的電子雲發生彈性散射,當各晶面產生的散射波滿足建設性干涉條件時,形成宏觀的繞射光束。其核心幾何條件由布拉格定律(Bragg's Law)所規範。 【論述】

小題 (二)

當欲分析的樣品為薄膜時,一般會選用低掠角 X 光繞射儀,請說明其原因。(5 分)

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作答時應先點出常規 XRD 分析薄膜時的致命傷:X 光穿透深度太深導致基板訊號過強。接著切入低掠角 XRD (GIXRD) 的物理機制,說明極小的固定入射角如何大幅降低穿透深度,並增加 X 光在薄膜內的光程,最終達到提升薄膜訊雜比的目的。

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【破題】 分析薄膜樣品時選用低掠角 X 光繞射儀(Grazing Incidence X-ray Diffraction, GIXRD),核心目的在於「極大化薄膜的繞射訊號」並「極小化底層基板的干擾訊號」。 【論述】

小題 (三)

若改以電子束進行繞射,所得繞射結果有何異同?(10 分)

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看到比較XRD與電子繞射的題目,首先應切入「輻射源與物質的交互作用機制」及「波長差異」。接著從這兩點延伸出布拉格角的大小差異(引出繞射幾何與厄瓦耳球特徵)、樣品穿透深度、空間解析度,最後務必比較兩者在晶格常數測量上的準確度與優劣(大角度 vs 小角度誤差放大)。

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【破題】X光與電子束繞射皆奠基於晶體週期性結構對波的散射,並遵循布拉格定律(Bragg's Law)。然而,因兩種輻射源的「波長」與「與物質交互作用機制」截然不同,導致所得之繞射圖樣幾何、分析尺度及準確度有顯著差異。 【論述】 一、相同之處(物理基礎)

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