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高考申論題 107年 [材料工程] 材料分析

第 三 題

在單晶基板上成長多晶薄膜,此多晶薄膜常有不同程度之優選方位(preferred orientation)或織構(texture)的特性,進而影響材料物理性質。請詳述一個可以分析優選方位或織構的分析技術,包含原理、方法及可得到的資訊。(10 分)
📝 此題為申論題

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看到「薄膜優選方位或織構分析」,應直覺聯想巨觀尺度的「X射線繞射極圖分析(XRD Pole Figure)」或微觀尺度的「電子背向散射繞射(SEM-EBSD)」。答題時需嚴謹點出最佳技術,並依序拆解物理原理(如布拉格定律與彈性散射機制)、機台操作方式(固定繞射角並掃描尤拉角)及最終產出數據(極圖與定向分佈函數),最後加入技術比較(巨觀統計與微觀解析之差異)以展現高分鑑別度。

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【破題】分析多晶薄膜優選方位(Preferred orientation)或織構(Texture)最經典且具備宏觀統計代表性的技術為 X射線繞射儀 (XRD) 之極圖 (Pole Figure) 分析技術。若需微觀尺度的晶粒取向實空間分佈,則可選用 SEM-EBSD。 【論述】 一、物理原理

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