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高考申論題 105年 [電子工程] 電磁學

第 一 題

📖 題組:
如圖一所示,在兩片面積分別為 A 之金屬板中間插入兩片介電質,厚度分別為 h1及h2,介電係數分別為 ε1 及 ε2。兩片金屬板分別接到一直流電壓源之兩端,電壓源之電壓為 V0,導致兩片介電質內之電場分別為 E1及 E2。(每小題 5 分,共 25 分)
題組圖片
📝 此題為申論題,共 5 小題

小題 (一)

列出兩片介電質交界處之電場邊界條件。

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看到介電質交界面的問題,首要聯想到靜電場的兩大基本邊界條件:切向電場連續(源自保守場特性)與法向電位移連續(源自高斯定律)。再觀察圖形確認本題只有法向電場,代入邊界條件即可得出最終的數學關係式。

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【解題思路】利用靜電場的基本方程式(高斯定律與靜電場旋度為零),分析介電質交界處法向與切向的邊界條件。 【詳解】 已知:兩介電質內部為理想絕緣體,交界面上無自由電荷分佈(表面電荷密度 $\rho_s = 0$)。

小題 (二)

兩片金屬板之間的電場線積分應與外接電壓源之電壓相等,據此列出 E1 及 E2 與 V0之關係式。

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本題測驗電位差與電場的基本積分關係:V = ∫ E · dl。在平行板電容器中,各介電質層內的均勻電場乘上其厚度即為該層之電位降,總電壓為各層電位降的串聯疊加。

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【解題思路】利用電位差為電場沿路徑積分的定義,建立外加總電壓與各區間均勻電場的數學關係。 【詳解】 已知:兩平行金屬板間跨接直流電壓源 $V_0$,內部包含兩層厚度分別為 $h_1$ 與 $h_2$ 的介電質,對應的電場分別為 $E_1$ 與 $E_2$。

小題 (三)

根據前述(一)、(二)題之關係式求解 E1及 E2。

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看到雙層介電質電容器,應立即聯想到兩個核心物理定律:一是介電質交界面上的邊界條件(法向電位移連續,即 ε1E1 = ε2E2);二是電壓與電場的關係(總電壓為各層電壓降之和,即 V0 = E1h1 + E2h2)。聯立這兩條方程式即可代數解出 E1 與 E2。

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【解題思路】利用介電質交界面之電位移法向分量連續條件,以及電壓與電場的線積分關係聯立求解。 【詳解】 已知前述推導應具備以下兩項核心關係式:

小題 (四)

求解上端金屬板內側之電荷密度。

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看到求金屬板表面電荷密度,應立刻想到「導體-介電質邊界條件」:金屬表面電荷密度等於緊鄰介電質的電位移場法向分量(ρs = D1 = ε1E1)。接著利用介電質界面的D場連續性與克希荷夫電壓定律(V0 = E1h1 + E2h2)聯立解出 E1,即可代入求得僅包含原始已知參數的電荷密度。

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【解題思路】利用導體與介電質之邊界條件求出表面電荷密度與電位移場的關係,再配合無自由電荷界面的邊界條件與電壓路徑積分求解。 【詳解】 已知:

小題 (五)

求解兩片金屬板間之電容表示式。

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看到多層介電質平行板電容器,直觀上可視為多個單層電容器的串聯。若要嚴謹作答,建議從假設極板帶電量 Q 出發,利用高斯定律與邊界條件求出電通量密度 D 與電場 E,再透過電壓積分計算 V0,最後代入電容定義 C = Q/V0 即可求得。

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【解題思路】由高斯定律與介電質邊界條件求出各層介電質內的電場,再透過電壓定義與總電荷之比值(C=Q/V)推導總電容。 【詳解】 已知:金屬板面積為 $A$,兩層介電質厚度分別為 $h_1$ 與 $h_2$,介電係數分別為 $\varepsilon_1$ 與 $\varepsilon_2$。

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