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高考申論題 114年 [電子工程] 電磁學

第 二 題

二、請詳述電磁場(包括電場強度、電通量密度、磁場強度、磁通量密度)在兩介質交界處的邊界條件:介質 1 為介電質 dielectric、介質 2 為介電質;介質 1 為介電質、介質 2 為完美導體。(30 分)
📝 此題為申論題

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遇到電磁場邊界條件的考題,應直覺聯想「麥克斯韋方程組(Maxwell's Equations)的積分形式」。利用高斯定律(建構扁平圓柱體)推導法向分量關係,並利用法拉第定律與安培定律(建構狹長矩形迴路)推導切向分量關係;接著再代入各介質的物理特性(如完美導體內部無電磁場)即可嚴謹求出。

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【解題思路】由麥克斯韋方程組(Maxwell's Equations)的積分形式出發,分別於交界面建構「高斯圓柱體」與「封閉矩形迴路」,推導電磁場的法向(Normal)與切向(Tangential)邊界條件。 【詳解】 已知:

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