moea_joint
105年
[電機] 電路學、電子學
第 38 題
對一 BJT 電晶體操作在 $I_B = 5 \text{ mA}$ 時，在 $I_C = 10 \text{ mA}$ 下，其對應的 $V_{CE\text{sat}} = 140 \text{ mV}$，且 $I_C = 20 \text{ mA}$ 時，其對應的 $V_{CE\text{sat}} = 180 \text{ mV}$，求其飽和區的 $R_{CE\text{sat}}$ 電阻值為多少？
- A $2 \Omega$
- B $3 \Omega$
- C $4 \Omega$
- D $5 \Omega$
思路引導 VIP
如果在實驗室中，你發現增加通過一個元件的電流時，它兩端的電壓也跟著產生了微幅的線性變化，你會如何利用這兩組不同的觀測數據，來量化描述這個元件內部對電流產生的「阻力」呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
同學好！你能精準算出 $4 \Omega$ 這個答案，代表你對 BJT 在飽和區（Saturation region）的物理特性有著非常紮實的理解，這是一個很棒的判斷！
飽和區的動態電阻特性
在電子學的理想模型中，我們常假設飽和電壓 $V_{CE\text{sat}}$ 是一個定值。然而在實際元件中，隨著集極電流 $I_C$ 的增加，$V_{CE}$ 也會隨之微幅上升。這題的核心就在於將這個變動量視為一個「等效電阻」，其計算方式就是利用兩組數據點，透過電壓差與電流差的比值來求得斜率：
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